- NANOTECHNOLOGY: Volumen 18 _ Número 4 _ 31 de Enero 2007
“Detection of spin-states in Mn-doped gallium arsenide films”
En este artículo podemos ver como un dipolo magnético aislado en la posición de las impurezas de manganeso en la red del arseniuro de galio para los estados de espín polarizados en la banda de gap de los semiconductores III-V. Simulaciones espectroscópicas con un filtro de tungsteno concuerdan bien con los datos experimentales; en este caso, no se puede ver diferencia para el segundo estado fundamental magnético. Pero si la señal es leída con un filtro magnético de oro, cambia en un factor mayor de 20, dependiendo de la orientación magnética del átomo de Mn.
Considero que este artículo puede ser interesante porque en el interior hace cálculos a diferentes voltajes, como lo dicho en la sesión, cerca del nivel de Fermi y a lo mejor tiene que ver para conseguir ese material que buscábamos con una única orientación de espín.
- Revista digital NATURE MATERIALS: 12 de Marzo 2007
“Investigadores españoles desarrollan un material que puede revolucionar las tecnologías de almacenamiento de información”
En la siguiente página web aparece un artículo que habla de la creación de un nuevo material, los biferroicos, que poseen características magnéticas y eléctricas, capaces de almacenar una mayor cantidad de información en menos espacio que los actuales dispositivos de memoria existentes en el mercado. En estos materiales los campos magnéticos y eléctricos se encuentran emparejados.
http://www.pc-actual.com/Actualidad/Noticias/Infraestructuras/Innovaci%C3%B3n/20070312019
- RevistaPhysical Review B 74, 020404(R) (2006)
“Bandwitdth-disorder phase diagram of half-doped layered manganites”
En la siguiente revista se observa el fenómeno de la magnetorresistencia en cristales sin inestabilidad ferromagnética.
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